DMPH1006UPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
物料参数
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 124 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6334 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | 汽车级 |
| 资质: | AEC-Q101 |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |